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Die beschichteten Tiegel von Momentive Performance Materials sind das Ergebnis der gemeinsamen Forschung von Momentive Performance Materials und MEMC. Durch die einzigartige Beschichtungsformel, die seit über zehn Jahren für die Züchtung von Einkristallblöcken verwendet wird, konnten die Endkosten für den Kunden verringert werden. Diese beschichteten Tiegel senken die Endkosten für unsere Kunden, da sie eine längere Lebensdauer besitzen und größere Beladungen ermöglichen, mit denen sich bei gleichzeitiger Bewahrung der Kristalleigenschaften höhere Erträge erzielen lassen. Darüber hinaus lassen sich die robusteren Tiegel bei der Entwicklung neuer Verfahren und Produkte flexibler einsetzen. Der Kristall- bzw. Heißbereich wird durch die Beschichtung nicht verunreinigt.
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Hinweise zur Sicherheit und Verwendung
Die Beschichtungen dieser Tiegel enthalten eine geringe Menge Barium, so dass Räume bzw. Labore mit Hilfe der entsprechenden Verfahren gereinigt werden müssen. Tragen Sie bei der Arbeit mit beschichteten Tiegeln Schutzhandschuhe. Zur Vermeidung von Verunreinigungen müssen die Handschuhe nach der Arbeit mit dem Tiegel gewechselt werden.
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Methoden zum Verbessern der Nullverschiebung einzelner Kristalle:
US-Patent Nr. 5.980.629
Eine Methode, mit der die Tiegel mit dem geschmolzenen Halbleitermaterial in einem Czochralski-Verfahren verstärkt werden können und das Auftreten von Verschiebungen beim Wachstum eines Einkristalls verhindert werden kann. Der Tiegelkörper besteht aus glasartigem Silizium. Er besitzt eine untere sowie eine seitliche Wand, welche von der unteren Wand ausgeht und eine Vertiefung zur Aufnahme des Halbleitermaterials bietet. Die Seitenwand und die untere Wand besitzen jeweils eine innere und äußere Oberfläche. Bei einer Temperatur von weniger als 600°C wird an der inneren Oberfläche der Seitenwand eine entglasungsfördernde Substanz aufgetragen. Dieser Auftrag bewirkt bei der Erhitzung des Tiegels auf über 600°C die Bildung einer ersten Schicht weitgehend entglasten Siliziums an der inneren Oberfläche, welches eine weitgehend einheitliche Auflösung der inneren Oberfläche bewirkt und die Abgabe von Partikeln des kristallinen Siliziums an das geschmolzene Halbleitermaterial beim Ziehen der Kristalle aus diesem Material reduziert. Anschließend wird bei einer Temperatur von weniger als 600°C an der äußeren Oberfläche der Seitenwand eine weitere entglasungsfördernde Substanz aufgetragen. Dieser Auftrag bewirkt bei der Erhitzung des Tiegels auf über 600°C die Bildung einer zweiten Schicht weitgehend entglasten Siliziums an der äußeren Oberfläche, welches den glasartigen Siliziumkörper verstärkt.
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Oberflächenbehandelte Tiegel für eine bessere Nullverschiebung:
US-Patent Nr. 5.976.247
Ein Tiegel, in dem Halbleitermaterial geschmolzen wird und der dieses während des Ziehens der Kristalle enthält. Der Tiegelkörper besteht aus glasartigem Silizium. Er besitzt eine untere sowie eine seitliche Wand, welche von der unteren Wand ausgeht und eine Vertiefung zur Aufnahme des Halbleitermaterials bietet. Die Seitenwand besitzt eine innere und eine äußere Oberfläche. Auf der inneren Oberfläche der Seitenwand wird eine entglasungsfördernde Substanz verteilt, die die Bildung einer ersten Schicht weitgehend entglasten Siliziums an der inneren Oberfläche des Tiegels bewirkt. Diese Schicht kommt beim Schmelzen des Halbleitermaterials während des Kristallwachstums im Tiegel mit dem geschmolzenen Halbleitermaterial in Kontakt. Auf der äußeren Oberfläche der Seitenwand wird eine zweite entglasungsfördernde Substanz verteilt, die beim Schmelzen des Halbleitermaterials während des Kristallwachstums im Tiegel die Bildung einer zweiten Schicht weitgehend entglasten Siliziums an der äußeren Oberfläche des Tiegels bewirkt. Die erste weitgehend entglaste Siliziumschicht bewirkt die uniforme Auflösung der inneren Oberfläche und reduziert dadurch beim Ziehen des Kristalls aus dem geschmolzenen Halbleitermaterial wesentlich die Freigabe von kristallinen Siliziumpartikeln an das geschmolzene Halbleitermaterial. Die zweite substantiell entglaste Siliziumschicht dient zur Verstärkung des glasartigen Siliziumkörpers.
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Momentive Performance Materials
